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公司基本資料信息
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通過使用閃存驅(qū)動(dòng)器來緩存“熱”數(shù)據(jù),并同時(shí)配備NL-SAS/SATA硬盤以實(shí)現(xiàn)高達(dá)48 TB2基于服務(wù)器的存儲(chǔ)容量,提高數(shù)據(jù)庫(kù)性能。
通過將NVMe驅(qū)動(dòng)器和戴爾高速緩存解決方案相結(jié)合,提高OLTP應(yīng)用程序的并行使用率和系統(tǒng)響應(yīng)。
通過將傳統(tǒng)硬盤與固態(tài)閃存驅(qū)動(dòng)器結(jié)合使用,確保數(shù)據(jù)在需要時(shí)出現(xiàn)在需要處,從而為IT即服務(wù)(XaaS)提供商、大數(shù)據(jù)(Hadoop)用戶和主機(jī)托管提供高效的高性能橫向擴(kuò)展存儲(chǔ)。
存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器容量比前代產(chǎn)品擴(kuò)大了33 %,因此支持更多更大的低成本郵箱。
內(nèi)存帶寬比前代產(chǎn)品增加了15 %,因此縮短了響應(yīng)時(shí)間,另外借助戴爾精選網(wǎng)絡(luò)適配器的可自定義吞吐量,幫助提高了IO性能。
采用12 Gb PERC9 RAID控制器,使高速緩存和吞吐量都比前代產(chǎn)品提高了1倍,因此可增強(qiáng)Exchange整體性能。
通過直接將更多虛擬機(jī)映射到數(shù)量更多的物理處理器內(nèi)核,優(yōu)化了虛擬環(huán)境中的Lync性能和響應(yīng)能力。
在的英特爾?至強(qiáng)?處理器E5-2600 v3產(chǎn)品系列中,每個(gè)插槽包含多達(dá)18個(gè)內(nèi)核,因此可提供足夠的周期和線程來支持當(dāng)今虛擬環(huán)境中各種不同的工作負(fù)載(包括虛擬化的本地存儲(chǔ))。為了進(jìn)一步增強(qiáng)這些部署,R730xd中加入了以下特性:
DDR4 RAM:每個(gè)節(jié)點(diǎn)上可支持更多、更大且性能更高的虛擬機(jī),而占用功率比前代DDR3 RAM降低了30 %
多模式RAID控制器:存儲(chǔ)帶寬是前代產(chǎn)品的兩倍
與軟件定義存儲(chǔ)(SDS)解決方案兼容:例如Microsoft Storage Spaces、VMware? Virtual SAN? (vSA