NetApp公司在本屆閃存存儲峰會上拋出驚人論點，宣稱隨著廉價TLC閃存芯片每GB成本的持續(xù)走低、閃存將在2017年獲得低于SAS磁盤的單位價格。

TLC即三層單元閃存，其中每個單元能夠容納3-bit——這一容量水平高于SSD及服務(wù)器閃存卡所采用的標(biāo)準(zhǔn)2-bit或者稱為MLC NAND。

由于TLC在容量密度上高于MLC，因此其每GB成本自然也就更低——具體比例約為25%。NetApp公司的數(shù)據(jù)分析師們指出，其價格下降速度要高于SAS接口磁盤驅(qū)動器的每GB成本降幅。

上圖所示為企業(yè)級SAS磁盤、TLC NAND以及SATA磁盤的每GB成本比較結(jié)果，其中SATA磁盤的成本被設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)、即恒定為1.0。

TLC的使用壽命低于MLC閃存，因此其主要被用于處理讀取密集型工作負(fù)載而非寫入密集型應(yīng)用程序。NetApp公司的分析師們認(rèn)為，TLC閃存的每GB成本將一直朝著SATA磁盤基準(zhǔn)持續(xù)下降，但圖表所示僅截止于2020年。根據(jù)該趨勢繼續(xù)推算，那么TLC NAND的使用成本將在2070年之后達(dá)到與SATA磁盤相同的水平。

根據(jù)Gartner方面的觀點，2014年全球NAND產(chǎn)品存儲容量總和將在63 EB（即艾字節(jié)）左右，其中7.6 EB用于企業(yè)級服務(wù)器與存儲機制。而未來十二個月中（截至明年六月底）磁盤驅(qū)動器的生產(chǎn)容量總和約為99.7 EB，這一數(shù)字為前者的約13倍。

除非閃存代工行業(yè)都將制造能力提升一倍甚至兩倍，否則閃存在短時間內(nèi)仍然不可能徹底取代磁盤驅(qū)動器，不過前者的成本優(yōu)勢將帶來更為強勢的市場競爭力;總結(jié)來說，代工廠商的產(chǎn)能成為約束閃存進(jìn)一步普及的瓶頸所在。

當(dāng)然，如果供不應(yīng)求的情況持續(xù)下去，閃存產(chǎn)品的利潤也將保持穩(wěn)定、供應(yīng)商也不必為過去曾經(jīng)出現(xiàn)過的利潤崩潰狀況而過份擔(dān)憂。不過最終總會有人拿出十億甚至更為龐大的資金建立新的代工設(shè)施，到那時閃存產(chǎn)品的價格也終將跌入谷底。